Khái niệm, định nghĩa DRAM là gì?

Khái niệm Ram Động (DRAM)

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM hay RAM động) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích hợp. Vì các tụ điện bị rò điện tích nên thông tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều đặn. Đây là điểm khác biệt so với RAM tĩnh. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn giản: chỉ cần một transistor và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao. Vì DRAM mất dữ liệu khi không có điện nên nó thuộc loại thiết bị nhớ tạm thời.

Chi tiết hơn về DRAM

RAM động là kiểu được sử dụng nhiều nhất hiện nay . Bên trong mỗi ô nhớ ( Cell ) của Chip RAM động , mỗi Cell này sẽ giữ một Bit thông tin , và được làm từ hai phần : một Transistor và một tự điện . Tất nhiên , những Transistor và những tụ điện có kích thước vô cùng nhỏ , do đó có hàng triệu Cell vừa bên trong một Chip nhớ . Tụ điện có nhiệm vụ giữ Bit thông tin – là 0 hoặc 1 . Transistor hoạt đọng như một cái khoá mà cho phép mạch điều khiển đọc Chip nhớ Đọc trong tụ điện hoặc thay đổi trạng thái của nó .

DRAM

Tụ điện như là một cái thùng nhỏ mà có khả năng lưu trữ những điện tử ( Electron ) . Để lưu trữ có giá trị Logic bằng 1 có nghĩa là trong thùng đầy điện tử . Để lưu trữ có giá trị Logic là 0 có nghĩa là thùng rỗng . Một vấn đề thùng của Tụ điện  là bị rò rỉ . Trong vài mili giây thì thùng đang đầy sẽ trở nên trống rỗng . Cho nên để cho bộ nhớ động làm việc , thì CPU hoặc mạch điều khiển bộ nhớ có nhiệm vụ nạp lại tất cả những tụ điện có giá trị Logic bằng 1 trước khi chúng phóng hết điện tử . Để làm được điều này , mạch điều khiển bộ nhớ đọc bộ nhớ và sau đó ghi lại nó . Hoạt động này gọi là Refresh và nó xảy ra một cách tự động hàng nghìn lần trong một giây .

Hoạt động Refresh này làm cho bộ nhớ đó gọi là bộ nhớ động . Nếu không có công việc Refresh  liên tục thì bộ nhớ sẽ quên rằng nó lưu trữ nội dung gì . Việc làm Refresh khiến cho bộ nhớ mất một khoảng thời gian và làm giảm hiệu suất của bộ nhớ .

Lịch sử

DRAM được phát minh bởi tiến sĩ Robert Dennard tại Trung tâm nghiên cứu Thomas J. Watson IBM vào năm 1966 và được cấp bằng sáng chế năm 1968. Tụ điện đã được dùng trong những sơ đồ bộ nhớ đời đầu như: drum của Atanasoff-Berry Computer, ống Williams và ống Selectron.

Vào năm 1969, Honeywell yêu cầu Intel chế tạo cho họ bộ nhớ DRAM sử dụng một cell 3 transistor mà họ vừa phát triển. Nó đã trở thành Intel 1102 (1024×1) vào đầu những năm 1970. Tuy nhiên 1102 gặp nhiều lỗi, điều đó khiến Intel bắt đầu làm việc trên những mẫu thiết kế có cải tiến của riêng họ (việc này được tiến hành bí mật nhằm tránh động chạm tới Honeywell). Chính điều này đã dẫn tới sự ra đời của DRAM thương mại đầu tiên có cell 1 transistor – Intel 1103 (1024×1) vào tháng Mười năm 1970 (mặc dù có chút vấn đề vì số lượng tiêu thụ thâp, mãi đến bản sửa đổi thứ 5).

Bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều địa chỉ hàng/cột là Mostek MK4096 (4096×1) năm 1973.